செமிகண்டக்டர் லேசர்கள் 1962 இல் கண்டுபிடிக்கப்பட்டன மற்றும் 1970 இல் இரட்டை ஹீட்டோரோஸ்ட்ரக்சருடன் தொடர்ச்சியான-அலை இயக்கத்தை அடைந்தது, இது ஆப்டிகல் தகவல்தொடர்புக்கான முக்கிய ஒளி ஆதாரமாக மாறியது. InGaAsP/InP அமைப்பு 1300/1550 nm குறைந்த-இழப்பு தகவல்தொடர்பு இசைக்குழுவை ஆதரிக்கிறது, மேலும் MOCVD முக்கிய ஃபேப்ரிகேஷன் தொழில்நுட்பமாக மாறியுள்ளது.
ஒரு குறைக்கடத்தி லேசர்ஒரு ஆதாய ஊடகம் மற்றும் ஒரு ஃபேப்ரி-பெரோட் ரெசனேட்டர் ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது. மக்கள்தொகை தலைகீழ் கேரியர் ஊசி மூலம் உணரப்படுகிறது, மேலும் லேசர் தூண்டப்பட்ட உமிழ்வு மூலம் உருவாக்கப்படுகிறது. நீளமான பயன்முறை இடைவெளியானது குழியின் நீளத்தால் தீர்மானிக்கப்படுகிறது, மேலும் பயன்முறை பூட்டுவதற்கு பல நீளமான முறைகளின் கட்ட ஒத்திசைவு தேவைப்படுகிறது
பரந்த பகுதி லேசரின் திட்டம்
InGaAsP/InP மெட்டீரியல் சிஸ்டத்தைப் பயன்படுத்தி பல லேசர் வடிவமைப்புகள்.
InGaAsP/InP மெட்டீரியல் சிஸ்டம் 1300-1600 nm வரையிலான தகவல்தொடர்பு இசைக்குழுவிற்கு ஏற்றுக்கொள்ளப்பட்டது. MOCVD எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியானது உயர்-துல்லியமான லட்டு பொருத்தத்தை அடைகிறது, இது வணிக ஒளிக்கதிர்களுக்கான முக்கிய புனையமைப்பு திட்டமாகும்.
வாசல் மின்னோட்டம் வெப்பநிலையுடன் அதிவேகமாக அதிகரிக்கிறது, மேலும் சிறப்பியல்பு வெப்பநிலை T₀ வெப்பநிலை நிலைத்தன்மையை பிரதிபலிக்கிறது. அதிவேக பண்பேற்றம் குறைந்த கொள்ளளவு மற்றும் வலுவான குறியீட்டு-வழிகாட்டப்பட்ட கட்டமைப்புகளை நம்பியுள்ளது.
செமிகண்டக்டர் லேசர்கள் சிறிய அளவு மற்றும் அதிக நம்பகத்தன்மையைக் கொண்டுள்ளன, ஆப்டிகல் கம்யூனிகேஷன், பம்ப் மூலங்கள், அச்சிடுதல் மற்றும் உணர்தல், அல்ட்ராஃபாஸ்ட் பயன்முறையில் பூட்டப்பட்ட அமைப்புகளின் சிறியமயமாக்கல் மற்றும் ஒருங்கிணைப்பு ஆகியவற்றிற்கான முக்கிய ஒளி மூலமாக செயல்படுகின்றன.
